* QT-2B半導體技術器件芯片管性狀構造儀可可根據是需要檢測的半導體技術器件芯片二**管、三**管的底頻交流電指標,**大集電**感應電流高達50A,差不多充分考慮效率500W一下的半導體技術器件芯片管的測試圖片。
* 本測量儀器還附有高壓電的測量傳動裝置,可對5000V下例的半導管做穿透端電壓及反向的方式給回漏電流大小測量,其測量電流大小**高精確度度達標0.5uA/度。
* 本測試儀器所提拱的基**梯階數據信息還擁有脈沖激光梯階效果,故此可不斷擴大精確在測量標準及對三次擊穿電壓基本特征的精確在測量。
* 本器材帶梯階偏置輸出公率(△VB), -6V~+6V連著可以調節。非常為宜大公率VMOS管檢測。
1. 集電**電壓電流偏轉標準值
a) 集電**電壓電流范圍圖(Ic): 1μA/度~5A/度。按1、2、5進制分21檔級,各檔差值不太不小于3%。
b) 二**管電壓電流范疇(ID) :1μA/度~500μA/度。1、2、5進制分9檔,各檔確定誤差很不小于3%。
c) 集電**交流電及二**管交流電倍數×0.5,隨機誤差不高于10%。
d) 基**直流電或基**源輸出功率0.1V/度,計算誤差不太以上3%。
2. 集電**電阻值偏轉指數公式
a) 集電**電壓電流空間(Uc): 10mV/度~50V/度。按1、2、5進制分21檔級,各檔不確定度不是很不低于3%。
b) 二**管電流電壓區間(UD): 100V/度~500V/度。按1、2、5進制分3檔級,各檔誤差率并不不超10%。
c) 基**電流值領域(UBE):10mV/度~1V/度按1、2、5進制分7檔級,各檔偏差好少于3%。
d) 基**電流值或基**源交流電壓::0.05V/度,確定誤差面積不高于3%。
3. 基**階梯性表現
a) 臺階直流電壓范疇(IB): 10uA/度~200mA/度。按1、2、5進制分17檔級,各檔測量誤差并不不小于5%。
b) 階梯性額定電壓的范圍(UB): 50mV/度~1V/度。按1、2、5進制分5檔級,各檔偏差不高于5%。
c) 串接電阻器:0Ω、10KΩ、100KΩ,各檔隨機誤差不算太達到10%。
d) 梯階正弦波形:分正確(100%)及脈寬二檔。脈寬梯階占空比調控的范圍為10~40%。
e) 每簇級數:0~10級,連續性可以調整。
f) 梯階偏置端電壓(△VB):-6V~+6V,連著可以調節。
g) 梯階用處:分相似、關、累計三檔級。
h) 臺階手機輸入:分很正常、零瞬時電流、零的電壓三檔級。
i) 階梯式**性:分正、負二檔。
4. 集電**掃描機線電壓
a) 輸出的額定電壓與檔級: 0~10V 正或負多次可調式
0~50V 正或負不間斷可控
0~50V 正或負累計隨意調節
0~100V 正或負連著調節器
0~500V 正或負連續式調節器
b) 所在交流電存儲量: 0~10V 50A(電脈沖梯階工作任務的情形時)
0~10V 20A(總值值)
0~50V 10A(最低值值)
0~100V 5A (評標準差)
0~500V 0.5A(分別值)
c) 額定功率束縛電阻值: 0~500KΩ 按1、2、5進制分20檔級,各檔測量誤差較小于10%。
d) 整流方法: 全波
e) 傷害**性: +,-
f) 集電**容性直流電; 均衡后不少于2uA(10V檔)
g) 集電**漏電流; 動態平衡后不高達2uA(10V檔)
5. 二**管測量提升裝置
a) 模擬輸出的電壓: 0~5000V 領域間斷隨意調節
b) 輸出精度瞬時電流存儲量: **大得5mA
c) 整流途徑: 半波
6. 其他
a) 自適應器
油田試驗儀座、三**管試驗儀座、 工率三**管試驗儀座
b) 單重 約30kg。
c) 自己的外觀的尺寸
300mm×408mm×520mm(W×H×D)。
d) 耗電: 非測驗壯態時: 約80VA;
**大耗油率時: 約300VA。
e) 填寫交流電壓: 220V±10%;
f) 頻次: 50HZ±5%。
g) 示波管: 15SJ118-DC 有用任務面8×10cm。
h) 電磁能瀏覽器兼容性
肌肉收縮干攏應滿足GB/T 6833.9中第一章的規定。
幅射干憂應符合標準GB/T 6833.10中第3章的標準。
生態應合適GB/T 6587.1中Ⅱ級分析儀器的規范,裝卸搬運做實驗的時候按2級

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