LT-200數字式太陽能級硅晶體少子壽命測試儀簡介 
1. 儀器應用范圍及說明 
本設備是按照 標準GB/T1553“硅單晶少數載流子壽命測定的高頻光電導衰減法”設計制造。高頻光電導衰減法在我國半導體集成電路、晶體管、整流器件、核探器行業已運用了三十多年，積累了豐富的使用經驗，經過數次全國十多個單位巡回測試的考驗，證明是一種成熟可靠的測試方法，特別適合于硅塊、硅棒的少子體壽命測量；也可對硅片進行測量，給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面，因此制樣特別簡便。
昆德公司數字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點： 
可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數載流子體壽命。表面無需拋光，直接對切割面或研磨面進行測量，儀器可按需方提供的有標稱值的校準樣品調試壽命值。 
1.1 可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數載流子的相對壽命，表面無需拋光、鈍化。 
1.2 液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時在線顯示光電導衰退波形。 
1.3 配置的紅外光源：0.904～0.905μm波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強較強，有利于測量低阻太陽能級硅晶體少數載流子體壽命，脈沖功率30W。 
1.4 專門為消除陷進效應增加了紅外低光照。 
1.5 測量范圍寬廣 
測試儀可直接測量： 
a、研磨或切割面：電阻率≥0.5Ω•cm的單晶硅棒、定向結晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。 
b、拋光面：電阻率在0.5～0.01Ω•cm范圍內的硅單晶、鍺單晶厚度小于1mm的拋光片。 
2. 設備技術要求及性能指標 
2.1 少子壽命測試范圍：0.5μs~6000μs              
2.2 樣品的電阻率范圍：ρ﹥0.1Ω·cm（非回爐料）               
2.3 測試速度：1分鐘/片                       
2.4 紅外光源波長： 0.904～0.905μm                    
2.5 高頻振蕩源：用石英諧振器，振蕩頻率：30MHZ 
2.6 前置放大器，放大倍數約25，頻寬2HZ-2MHZ 
2.7 可測單晶尺寸：斷面豎測： 
直徑25mm-150mm；厚度2mm-500mm 
縱向臥測：直徑5mm-20mm；長度50mm-200mm 
2.8 測量方式：采用數字示波器直接讀數方式 
2.9 測試分辨率：數字存儲示波器zui小分辨率0.01μs  
2.10 設備重量：20 Kg  
2.11 儀器電源：電源電壓類型：單相210～230V,50Hz,帶電源隔離、濾波、穩壓，不能與未做保護措施的大功率、高頻設備共用電源。